[发明专利]解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构在审

专利信息
申请号: 201911136161.2 申请日: 2019-11-19
公开(公告)号: CN110783304A 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 杨建伟 申请(专利权)人: 广东气派科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 44380 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司 代理人: 周玉红
地址: 523330 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构,包括芯片和引线框基岛,所述引线框基岛上表面设有一环形凹槽,所述环形凹槽内侧形成焊接支撑台,所述焊接支撑台上表面低于引线框基岛的上表面,所述焊接支撑台上表面还阵列设有多个高度相同的支撑凸点,芯片通过烧结银胶焊接在焊接支撑台上。通过调整焊接支撑台上表面与引线框基岛的上表面之间的高度差,可以使外溢的烧结银胶即能反包芯片边缘,形成爬胶,同时又能避免烧结银胶爬胶过高;所述支撑凸点能有效的帮助将烧结银胶中的空气排挤出去,能使焊接层空洞率减少到2%以内,支撑凸点能保证芯片放置时的平整,避免出现芯片倾斜,能提升产品的焊接可靠性和产品的散热性。
搜索关键词: 焊接 引线框基岛 烧结 银胶 支撑凸点 上表面 支撑 环形凹槽 芯片 焊接可靠性 封装焊接 高可靠性 空气排挤 芯片边缘 芯片放置 高度差 焊接层 空洞率 散热性 支撑台 反包 平整 帮助 保证
【主权项】:
1.一种解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构,其特征在于,包括芯片和引线框基岛,所述引线框基岛上表面设有一环形凹槽,所述环形凹槽内侧形成焊接支撑台,所述焊接支撑台的形状和面积与芯片相适配,所述焊接支撑台上表面低于引线框基岛的上表面,所述焊接支撑台上表面还阵列设有多个高度相同的支撑凸点,所述支撑凸点的高度为30-50μm,所述芯片通过烧结银胶焊接在焊接支撑台上,烧结银胶的厚度等于或稍大于支撑凸点的高度。/n
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