[发明专利]一种新型双层分数槽集中绕组及其拓扑分布获取方法在审

专利信息
申请号: 201911136249.4 申请日: 2019-11-19
公开(公告)号: CN110829664A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 杨凯;胡林伟;徐百川;李天乐;余文毅;徐蕴镠;孙宋君 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H02K3/28 分类号: H02K3/28
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 代理人: 李佑宏
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种新型双层分数槽集中绕组及其拓扑分布获取方法,其包括如下步骤:将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的正相带槽位向槽位相位图的正方向增加后一个槽位,将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向删除第一个槽位,分别作为新型双层分数槽集中绕组的所述任一相位的其中一层绕组的正相带槽位和负相带槽位;将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位沿槽位相位图的正方向删除最后一个槽位,将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向增加后一个槽位,分别作为新型双层分数槽集中绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位和负相带槽位,从而使得集中绕组能通过抑制奇数对极磁动势谐波绕组系数,达到抑制相应磁动势谐波幅值的目的。
搜索关键词: 一种 新型 双层 分数 集中 绕组 及其 拓扑 分布 获取 方法
【主权项】:
暂无信息
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