[发明专利]一种高效率适配器模块在审
申请号: | 201911138278.4 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN110677051A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 郭晶 | 申请(专利权)人: | 洛阳光度智能科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/088 |
代理公司: | 34128 芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 曹宏筠 |
地址: | 471000 河南省洛阳市涧西区蓬莱*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明属于电气工程技术领域,具体为一种高效率适配器模块,包括:PWM控制器、第一栅驱动电路、第二栅驱动电路、第三栅驱动电路、第四栅驱动电路、第一GaN功率开关管(MH)、第二GaN功率开关管(ML)、第三GaN功率开关管(MH3)和第四GaN功率开关管(ML3),分别连接在MH和ML栅端的第一限流电阻(RH)和RL,分别连接在MH1和ML1栅端的第三限流电阻(RH1)和RL1,变压器T,输出电容C1、输出电感L1和输出电感L2,以及检测电路和反馈电路。本发明为提高频率和功率密度,采用多管并联LGA封装GaN功率开关进行开关变换;采用双面布局结构对栅驱动、多管并联GaN器件和电压母线进行布局优化,提高GaN器件工作可靠性,实现功率模块的高频化和小型化,从而实现高密度功率集成和高效率,可以广泛应用于便携式供电系统中。 | ||
搜索关键词: | 功率开关管 栅驱动电路 多管并联 输出电感 限流电阻 高效率 供电系统 工作可靠性 适配器模块 布局优化 电气工程 电压母线 反馈电路 功率集成 功率开关 功率模块 检测电路 开关变换 输出电容 双面布局 高频化 对栅 变压器 驱动 应用 | ||
【主权项】:
1.一种高效率适配器模块,其特征是,包括:PWM控制器(U1)、第一栅驱动电路、第二栅驱动电路、第三栅驱动电路、第四栅驱动电路、第一GaN功率开关管、第二GaN功率开关管、第三GaN功率开关管和第四GaN功率开关管,第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻和第四限流电阻,变压器,输出电容、第一输出电感、第二输出电感,以及检测电路(U4)和反馈电路(U3);/n上述电路的连接关系为:PWM控制器(U1)的第一脉宽信号(PWH)输出端连接到第一栅驱动电路的输入端,PWM控制器(U1)的第二脉宽信号(PWL)输出端连接到第二栅驱动电路的输入端,PWM控制器(U1)的第三脉宽信号(PWH1)输出端连接到第三栅驱动电路的输入端,PWM控制器(U1)的第四脉宽信号(PWL1)输出端连接到第四栅驱动电路的输入端;第一栅驱动电路的输出端连接到第一限流电阻的左端,第一限流电阻的右端连接到第一GaN功率开关管的栅端,第二栅驱动电路的输出端连接到第二限流电阻的左端,第二限流电阻的右端连接到第二GaN功率开关管的栅端,第三栅驱动电路的输出端连接到第三限流电阻的左端,第三限流电阻的右端连接到第三GaN功率开关管的栅端,第四栅驱动电路的输出端连接到第四限流电阻的左端,第四限流电阻的右端连接到第四GaN功率开关管的栅端;第一GaN功率开关管的源端连接到输入高压母线Vbus,第一GaN功率开关管的漏端为半桥输出HB,半桥输出HB连接到第二GaN功率开关管的漏端和变压器输入高压端,第二GaN功率开关管的源端连接到输入低压母线Vgnd和变压器输入低压端;第三GaN功率开关管的源端连接到变压器输出高压端和第一输出电感的左端,第三GaN功率开关管的漏端连接到输出低压母线端Vout-和第四GaN功率开关管的漏端,还连接到检测电路(U4)的第一输入端口和输出电容的下端;第四GaN功率开关管的源端连接到变压器输出低压端和第二输出电感的左端,第一输出电感的右端连接到输出高压母线端Vout+、第二输出电感的右端、检测电路(U4)的第二输入端口和输出电容的上端;检测电路(U4)的第一输出f1、第二输出f2和第三输出f3分别连接到反馈电路(U3)的第一、第二和第三输入端;反馈电路(U3)的第一输出fb1、第二输出fb2和第三输出fb3分别连接到PWM控制器(U1)的第一、第二和第三输入端;其中,检测电路(U4)的第一输出f1、第二输出f2和第三输出f3分别为电压反馈信号、电流反馈信号和温度反馈信号;/n所述PWM控制器(U1)、第一栅驱动电路、第二栅驱动电路、第三栅驱动电路、第四栅驱动电路、第一GaN功率开关管、第二GaN功率开关管、第三GaN功率开关管和第四GaN功率开关管,第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻和第四限流电阻,变压器,输出电容、第一输出电感、第二输出电感,以及检测电路(U4)和反馈电路(U3)在版图实现时采用双面布局结构。/n
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