[发明专利]功率放大单元和功率放大器有效
| 申请号： | 201911138890.1 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110739921B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 洪思航;林志东;王鹏;魏鸿基;林义书 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种功率放大单元和功率放大器，包括衬底、设置在衬底上呈阵列排布的多个双极型晶体管和设置在各双极型晶体管上的导电层。其中，每相邻两个双极型晶体管的发射极电极之间的导电层在纵向方向上形成孔壁由该导电层构成的过孔。各双极型晶体管的基极电极连接至单元输入端、集电极电极通过导电层连接至单元输出端。而其中，各双极型晶体管的发射极电极，在纵向方向上通过与该双极型晶体管相邻的导电层所形成的过孔后接地、在横向方向上经由导电层后接地。如此，各个双极型晶体管的发射极电极采用双路径到地结构，可提高电流通过能力，降低由于电流聚集造成的温度升高的问题，实现有效散热。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 放大 单元 功率放大器 | ||
【主权项】：
1.一种功率放大单元，其特征在于，包括：/n衬底；/n设置在所述衬底上呈阵列排布的多个双极型晶体管；/n设置在各所述双极型晶体管上的导电层；/n其中，每相邻两个双极型晶体管的发射极电极之间的导电层在纵向方向上形成孔壁由该导电层构成的过孔；/n各所述双极型晶体管的基极电极连接至单元输入端；/n各所述双极型晶体管的集电极电极通过所述导电层连接至单元输出端；/n各所述双极型晶体管的发射极电极，在纵向方向上通过与该双极型晶体管相邻的由导电层所形成的过孔后接地，在横向方向上经由所述导电层后接地，其中，所述横向方向为与所述衬底的表面平行的平面上的方向，所述纵向方向为垂直于所述衬底的表面的方向。/n
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