[发明专利]一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池

摘要

本发明公开了一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，包括Si衬底，为双面抛光的p型或n型Si单晶片；在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池；在Si衬底的下表面设置有GaNAs子电池；GaNP子电池和GaNAsP子电池之间通过第四隧道结连接，GaNAsP子电池和GaNAs/GaNP超晶格子电池之间通过第三隧道结连接，GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池之间通过第二隧道结连接，Si衬底和GaNAs子电池之间通过第一隧道结连接。本发明在降低五结电池生产成本的同时，利用五结电池结构可以更加充分地利用太阳光谱，提升电池的光电转换效率。