[发明专利]一种晶格匹配的硅基无砷化合物四结太阳电池在审
| 申请号： | 201911139879.7 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110931593A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张小宾;林凯文;王悦辉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 冯炳辉 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶格匹配的硅基无砷化合物四结太阳电池，包括Si衬底，为双面抛光的p型或n型Si单晶片；在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaNP子电池、GaInNP子电池和Si子电池；在Si衬底的下表面设置有InNSbP子电池；GaNP子电池和GaInNP子电池之间通过第三隧道结连接，GaInNP子电池和Si子电池之间通过第二隧道结连接，Si衬底和InNSbP子电池之间通过第一隧道结连接。本发明在降低四结电池制造成本并提高转换效率的同时，使四结电池在生产和应用过程中更加安全环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶格 匹配 硅基无砷 化合物 太阳电池 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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