[发明专利]一种四氧化三铁单层纳米膜的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201911140811.0 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110853865B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 胥传来;蔡佳蓉;匡华;徐丽广;马伟;孙茂忠;刘丽强;吴晓玲;宋珊珊;胡拥明 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01F10/00 | 分类号： | H01F10/00;H01F10/20;H01F41/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 时旭丹;张仕婷 |
| 地址： | 214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种四氧化三铁单层纳米膜的制备方法及其应用，属于纳米材料自组装和离子通道研究领域。本发明首先以油酸铁为前聚体，油酸为配体，合成油相四氧化三铁纳米颗粒；然后通过二乙二醇高温转相，获得表面为聚丙烯酸的水溶性四氧化三铁纳米颗粒；将获得的水相四氧化三铁纳米颗粒在液‑液界面进行自组装获得有序的四氧化三铁单层纳米薄膜。采用四氧化三铁单层纳米膜制备四氧化三铁纳米通道，通过线性扫描方法，测试其电流‑电压曲线；其电化学测试时具备离子选择性。本发明提供了精准可控的二维四氧化三铁材料的制备方法，也表明了四氧化三铁纳米薄膜在离子通道研究领域的巨大的应用潜力，为磁响应纳米通道的研究提供了新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 单层 纳米 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江南大学，未经江南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911140811.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
