[发明专利]沟槽顶部圆角化的方法在审
| 申请号： | 201911141139.7 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111106003A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 戴楼成;蒋章;赵振 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽顶部圆角化的方法，在该衬底上形成一硬掩膜层并用光刻工艺定义出沟槽区域图形；按照沟槽区域图形刻蚀硬掩膜层，衬底上表面为刻蚀停止层；沿硬掩膜层的侧壁刻蚀衬底，形成该衬底深区域的沟槽；将衬底上的所述硬掩膜层采用湿法刻蚀去除至留下一薄层为止；对沟槽顶部进行圆角化工艺；对沟槽进行牺牲氧化，将沟槽顶部进一步圆角化；在沟槽侧壁生长栅氧层，之后沉积多晶硅填充所述沟槽，本发明在湿法去除硬掩膜层的过程中，将硬掩膜层留下一薄层，由于湿法的各向异性导致沟槽顶部的位置边缘是没有氧化层保护的，此时使用圆角化工艺，顶部区域没有氧化层保护的地方会被圆角化，因此可以达到沟槽顶部圆角化的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 顶部 角化 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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