[发明专利]一种光电传感器及其制备方法

摘要

本申请实施例公开了一种光电传感器及其制备方法，该光电传感器包括：第一吸收层和第二吸收层，第一吸收层为本征半导体层，第一吸收层包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相对设置且垂直于入射光的方向，第二吸收层的设置位置包括以下至少之一：设置在本征半导体层内；设置在本征半导体层的第一表面；设置在本征半导体层的第二表面：第二吸收层为间隔排列的条状结构，以使得该光电传感器的暗电流小于或等于预设的暗电流阈值。本申请实施例提供的光电传感器及其制备方法，通过设置第二吸收层为间隔排列的条状结构，使得光电传感器在保持较低的暗电流水平的同时，可以响应光电流产生更多的载流子空穴对。

主权项

1.一种光电传感器，其特征在于，包括：第一吸收层和第二吸收层，所述第一吸收层为所述光电传感器的本征半导体层，所述第一吸收层包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置且垂直于入射光的方向，其中：/n所述第二吸收层的设置位置包括以下至少之一：/n设置在所述本征半导体层内；/n设置在所述本征半导体层的第一表面；/n设置在所述本征半导体层的第二表面；/n所述第二吸收层为间隔排列的条状结构，以使得所述光电传感器的暗电流小于或等于预设的暗电流阈值。/n