[发明专利]抑制场效应晶体管开关振荡的控制方法及其二阶模型

摘要

本发明实施例涉及一种抑制场效应晶体管开关振荡的控制方法及其二阶模型，包括阶跃电源、与阶跃电源正极连接的主回路电感、与主回路电感连接的主回路电容和与主回路电容连接的主回路电阻，主回路电阻与阶跃电源的负极连接。该抑制场效应晶体管开关振荡的控制方法通过场效应晶体管开关回路的二阶模型使得场效应晶体管开关回路不需要在场效应晶体管开关回路中的主回路接入额外的阻尼设备，也不引入新的振荡模态；采用开通、关断二阶模型，得到能抑制该场效应晶体管开通或关断过程中出现振荡的驱动电阻，对场效应晶体管的开通或关断过程中出现的振荡得到有效抑制，解决了现有碳化硅MOSFET开关暂态过程出现振荡的技术问题。

主权项

1.一种场效应晶体管开关回路的二阶模型，该二阶模型基于双脉冲测试电路，其特征在于，包括阶跃电源、与所述阶跃电源正极连接的主回路电感、与所述主回路电感连接的主回路电容和与所述主回路电容连接的主回路电阻，所述主回路电阻与所述阶跃电源的负极连接。/n