[发明专利]具有减小的应力敏感度的超声MEMS声换能器及其制造工艺有效
| 申请号： | 201911143036.4 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111212370B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | G·加特瑞;C·瓦尔扎希纳;F·韦尔切西;G·阿勒加托 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李春辉 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有减小的应力敏感度的超声MEMS声换能器及其制造工艺。一种超声MEMS声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一腔在本体中延伸，并在底部界定敏感部分，该敏感部分在第一腔与本体的第一表面之间延伸。敏感部分容纳第二腔并形成膜，该膜在第二腔和本体的第一表面之间延伸。弹性支撑结构在敏感部分和本体之间延伸，并悬置在第一腔上方。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 应力 敏感度 超声 mems 声换能器 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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