[发明专利]一种高介电铜/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201911143573.9 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110804267B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 余丁山;郑敏珍;曹长林;陈潇川;陈旭东 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/04;C08K3/08;C08J5/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 孙凤侠 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电铜/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法。包括如下步骤：S1.将聚偏氟乙烯粉末与溶剂N,N‑二甲基甲酰胺混合均匀，得到粘稠液体；S2.对铜进行表面处理：将铜颗粒、偶联剂L‑半胱氨酸，混合与溶剂N,N‑二甲基甲酰胺中，超声处理10～30min；S3.将步骤S1得到的粘稠液体倒入步骤S2的混合物中，搅拌均匀得到混合溶胶；S4.将步骤S3得到的混合溶胶延流到载片上，并刮成薄膜，然后真空加热至140～150℃，保温0.5～1.5h，冷却至室温，得到高介电铜/聚偏氟乙烯复合材料。本发明通过引入新的环保偶联剂，提高了铜在聚偏氟乙烯基底中的分散性，不仅能有效解决细小导电粒子/聚合物复合材料体系存在的介电损耗高的问题，同时还有效提高了介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高介电铜 聚偏氟 乙烯 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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