[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201911144021.X | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111341364A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 薮内诚;田中信二 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;傅远 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体器件。提供一种能够提高工作裕度的半导体器件。该半导体器件包括存储器电路，其包括由SOTB晶体管构成的存储器单元；以及模式指定电路，其针对第一模式或第二模式切换存储器电路的操作模式。该存储器电路包括衬底偏置生成电路，其向SOTB晶体管供应衬底偏置电压；以及定时信号生成电路，其生成用于存储器电路的读取操作或写入操作的定时信号。在第二模式下，衬底偏置生成电路不向SOTB晶体管供应衬底偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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