[发明专利]一种一维ZnO纳米异质结阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201911144602.3 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111217319B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 曹宝宝;李硕 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51304 | 代理人： | 何健雄;廖祥文 |
| 地址： | 610036*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一维ZnO纳米异质结阵列的制备方法，步骤如下：一维ZnO纳米线阵列的预处理；前驱体溶液的制备；一维ZnO纳米异质结阵列的制备：1、吸取适量前驱体溶液，滴加于ZnO纳米线阵列B之中，待液体完全扩散开后，静置10～15s；2、将另一ZnO纳米线阵列A按照衬底背面垂直朝上的方式置于阵列B之上，同时在阵列A的衬底背面中心处放置定值砝码，之后静置5～10min，前驱体溶液由阵列B向上移动至阵列A；3、从阵列B上取下阵列A，保持阵列A的衬底背面垂直朝下，然后进行退火处理，所得阵列A即为所制备的一维ZnO纳米异质结阵列。本发明方法操作简单，成本低廉，具有较好的重复性，可用于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 异质结 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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