[发明专利]一种电镀镍层作为掩模层的陶瓷薄膜电路制备方法在审
| 申请号： | 201911144691.1 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110993556A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 孙林;张超;程凯;刘玉根 | 申请（专利权）人： | 中电国基南方集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 211153 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电镀镍层作为掩模层的陶瓷薄膜电路制备方法，陶瓷片经过清洗、溅射、光刻、电镀金加厚以后，再电镀一层金属镍作为掩模层，进而通过刻蚀制备得到薄膜电路。本发明利用电镀镍层作为掩模层可省略二次光刻的步骤，既简化了工艺过程，提高了生产效率，又避免了二次光刻时人工对位带来的误差，提高了产品的精度；同时也减少了光刻胶等物料的使用量，降低了生产成本，有效减少了使用光刻胶等物质对环境和生产人员带来的危害；另外，本发明无需使用干法刻蚀类的昂贵设备，具有工艺流程简单、设备数量少、可工业化、低成本大规模生产等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电镀 作为 掩模层 陶瓷 薄膜 电路 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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