[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911145205.8 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111584464A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 金毅烈;金善贤;朴喜雨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括顺序堆叠的第一子芯片和第二子芯片以及将第一子芯片和第二子芯片彼此电连接的贯通接触部。第一子芯片和第二子芯片中的每一个子芯片包括衬底和介于衬底之间的多个互连线。第二子芯片的互连线可以包括分别具有第一开口和第二开口的第一互连线和第二互连线，第一开口和第二开口彼此水平偏移。贯通接触部从第二子芯片的衬底朝第一子芯片延伸并可以包括辅助接触部，辅助接触部穿过第一开口和第二开口朝第一子芯片延伸，并具有比第一子芯片的互连线中的最上互连线的顶表面高的底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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