[发明专利]一种蚀刻和沉积的制程控制方法和装置在审
| 申请号： | 201911146409.3 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN112825295A | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 杨明勋;张峰溢 | 申请（专利权）人： | 广东汉岂工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市顺德区大良街道办事处德和居*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻和沉积的先进控制方法和装置，方法包括以下步骤：制备可独立控制气流分布的气流分配板；在所述气流分配板上阵列排布多个独立的微型气流喷嘴，在每个微型气流喷嘴内设置一个独立气道以及控制该气道通断/流量流速的电控开/关，还包括根据制程需要，程序控制各个单个的喷嘴的开/关。本发明通过可编程气流分配，来保证整个区域气流量/流速的均一性，具体实现了可编程气流图案和气流流速的局部区域的控制，相对于现有的固定气孔位置的固定气流图案的气流分布，大幅提高了原子层蚀刻和沉积的制程反应器技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 沉积 程控 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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