[发明专利]非易失性存储器件在审
申请号: | 201911147656.5 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN111276488A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 张桐熏;梁宇成;任峻成;黄盛珉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种非易失性存储器件包括:基板,包括单元区域和外围电路区域;在单元区域上的堆叠结构,该堆叠结构包括彼此分隔并依次堆叠的多个栅极图案;半导体图案,穿过堆叠结构连接到基板;外围电路元件,在外围电路区域上;第一层间绝缘膜,在单元区域和外围电路区域上,该第一层间绝缘膜覆盖外围电路元件;以及下接触,穿过第一层间绝缘膜连接到外围电路元件,下接触的顶表面的高度低于或等于所述多个栅极图案中在第一层间绝缘膜上的最下面的栅极图案的底表面的高度。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的