[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201911147883.8 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN110854185A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 廖文甲 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L21/335;H01L29/778;H01L29/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包含基板、沟道层、间隔层、阻挡层、氧化披覆层、源极与漏极、栅极以及保护层。沟道层置于基板上或上方并具有二维电子气通道。间隔层置于沟道层上。阻挡层置于间隔层上。氧化披覆层置于阻挡层上，材质为氮氧化物。源极与漏极置于阻挡层上或上方。栅极至少置于氧化披覆层上或上方并位于源极与漏极之间。保护层置于氧化披覆层上。本发明的半导体装置中，披覆层的缺陷可减少，因此披覆层的表面为平坦表面，更进一步地，氧化工艺可将披覆层去极化，如此一来，氧化披覆层的缺陷可进一步地被减少，再加上，因氧化披覆层被去极化，因此其表面为平坦表面，成长于氧化披覆层上的其他层的品质也可被改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子工业股份有限公司，未经台达电子工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911147883.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
