[发明专利]一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201911148319.8 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111017868B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李静;钟昌祥;尹君;林水潮;郑南峰 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应用，所述制备方法包括：在一硅片表面旋涂光刻胶；采用光刻方法在所述硅片表面形成特定尺寸的点样区；采用溶液法在含点样区的所述硅片表面自组装微纳米球；对沉积了微纳米球的所述硅片进行刻蚀，使所述点样区形成微纳米结构阵列；去除所述硅片表面的所述光刻胶；且去除所述硅片表面的所述微纳米球。本发明阵列结构硅基点阵的制备方法所制得的硅基点阵在质谱检测、拉曼检测、生物传感器或者光电探测器中的应用。本发明的硅基点阵在物理、化学、能源、催化、生命科学及信息等领域具有潜在的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 结构 基点 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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