[发明专利]一种ZnS/SnS/三硫化二锑@C空心纳米立方体结构复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201911149451.0 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110931739B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 闵永刚;陈妙玲;廖松义;王凌志;曹景茹;张增耀 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525;H01M10/054;C01G9/08;C01G19/00;C01B32/05;C01G30/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于电池技术领域，公开了一种ZnS/SnS/三硫化二锑@C空心纳米立方体结构复合材料及其制备方法和应用，所述复合材料是先将水、四氯化锡、柠檬酸钠、氯化锌、氢氧化钠混合，经水洗干燥制得H‑ZHS；将H‑ZHS超声分散于水溶液中，加入氢氧化钠或氢氧化钾进行刻蚀，加入多巴胺搅拌，经水洗干燥，所得H‑ZHS@PDA；将H‑ZHS@PDA与硫脲，在氢气氛围中在300～350℃进行硫化，冷却至室温，再将所得H‑SnS |
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| 搜索关键词： | 一种 zns sns 硫化 空心 纳米 立方体 结构 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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