[发明专利]一种铁电薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201911149614.5 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111129150B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 黄伟 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州创智卓英知识产权代理事务所(普通合伙) 33324 | 代理人： | 郑思思 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电薄膜晶体管及其制造方法，其中，铁电薄膜晶体管包括基底，依次设置于基底上的栅极、半导体层、源极和漏极，以及，还包括位于栅极和半导体层之间的三层结构铁电介电层，三层结构铁电介电层包括设置于栅极上的第一绝缘层，设置于第一绝缘层上的介电层和设置于介电层上的第二绝缘层。其优点在于，本发明通过设置第一绝缘层和第二绝缘层解决了现有铁电薄膜晶体管可能被“击穿”和漏电流的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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