[发明专利]一种低应力声光器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911150024.4 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN110850609A 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 曹家强;吴中超;王晓新;刘保见;吴畏;陈虹羽 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
主分类号: G02F1/11 分类号: G02F1/11
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 王海军
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及声光器件,具体涉及一种低应力声光器件及其制备方法,包括:压电晶片和声光晶体,声光晶体上表面从下往上依次镀制有Cr、Au金属膜层,压电晶片下表面从上往下依次镀制有Cr、Au金属膜层,声光晶体的Au膜层和压电晶片的Au膜层键合在一起形成Cr、Au、Cr三层金属膜键合层结构。本发明的低应力声光器件采用压电晶片先研磨后键合工艺代替传统的压电晶片先键合后研磨工艺,避免了Au‑Au键合残余应力导致的压电晶片研磨开裂现象;本发明改进了Au膜层的制备工艺,Au膜层的应力明显降低,声光晶体和压电晶片键合后声光晶体没有开裂现象。
搜索关键词: 一种 应力 声光 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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