[发明专利]一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件有效
| 申请号： | 201911150149.7 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN112825329B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 王冲;刘凯;马晓华;郑雪峰;李昂;赵垚澎;何云龙;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，包括：衬底层；若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层上；栅极，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述沟道层的两侧不设置所述栅极，其中，所述栅极包括栅介质层和栅金属层；源极，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近一侧的位置处；漏极，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近另一侧的位置处。本发明的GaN晶体管器件具有较小的开态电阻，同时具有较大的电流驱动能力，而且线性度高、功耗小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性 复合 绝缘 结构 gan 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
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