[发明专利]硅单晶长晶方法有效
| 申请号： | 201911151325.9 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111379016B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈俊宏;王兴邦;徐文庆;李依晴 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/16 | 分类号： | C30B15/16;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王博 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅单晶长晶方法及硅单晶长晶设备，所述硅单晶长晶方法包括：提供炉体、不会相对于炉体转动的支撑座与坩埚、及设置于支撑座外围的加热模块；在坩埚内的硅熔汤液面实施固化以形成晶体后，逐次调降加热模块的加热功率而对坩埚的外周围区域进行适当的温度调节，并有效控制坩埚周围热场的温度梯度，借以得到由所述硅熔汤固化形成的一硅单晶晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶长晶 方法 | ||
【主权项】：
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