[发明专利]一种具有微纳结构的氧化锌薄膜材料的制备方法在审
| 申请号： | 201911152382.9 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110867382A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陈战东 | 申请（专利权）人： | 广西民族大学 |
| 主分类号： | H01L21/36 | 分类号： | H01L21/36 |
| 代理公司： | 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) 50216 | 代理人： | 刘旭章 |
| 地址： | 530006 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体为一种具有微纳结构的氧化锌薄膜材料的制备方法，包括镀膜、预烘、匀胶、前烘、曝光、显影与清洗、后烘、腐蚀、高温退火氧化共九个步骤。本发明通过合理运用光刻技术和真空蒸镀技术，在硅片表面先制作出圆柱状锌薄膜阵列，然后在自然空气环境下，将硅片放入高温退火炉中，再向高温炉内的石英管腔体注入空气对锌薄膜进行高温氧化，从而制备出氧化锌薄膜材料。本方法与现有技术相比具有成本低廉，制备过程容易控制等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 氧化锌 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
