[发明专利]一种基于GaN十二面锥的多波长InGaN/GaN多量子阱结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911152863.X | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110767783A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 张士英;徐庆君;许亮;修向前;赵红;华雪梅;谢自力;韦德泉;李振华 | 申请（专利权）人： | 张士英 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/16;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 277100 山东省枣庄市市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaN十二面锥的多波长InGaN/GaN多量子阱结构及其制备方法，通过热H | ||
| 搜索关键词： | 面锥 腐蚀 锥体 制备 荧光粉 金属有机化学 气相外延技术 白光发射 衬底材料 发光效率 工艺成本 单芯片 多波长 腐蚀液 规模化 图形化 微纳米 有效地 再生长 自支撑 白光 衬底 发光 释放 生长 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaN十二面锥的多波长 InGaN/GaN多量子阱结构，其特征在于，通过热H
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