[发明专利]泡沫镍上自生长双金属MOF及其衍生物电极材料

摘要

本发明公开了一种泡沫镍上自生长双金属MOF及其衍生物电极材料，以双金属MOFs片作为前驱体，在泡沫镍基底上生长阵列状多孔NiCo2S4纳米片。该方法无需导电剂和粘结剂，利用CoNi‑MOF的可控生长和先退火后硫化的制备工艺，形成分层多孔的NiCo2S4阵列状结构，这种结构能够促进电子的快速传输，降低电荷转移电阻，有利于保持结构的稳定性和较好的循环性能，经测试，该方法制备得到的NiCo2S4阵列纳米片具有超高的比容量，在1A/g的电流密度下，比容量可达到1354.4 F/g，8A/g电流密度下循环10000圈后容量可以保持82.6%。