[发明专利]矩阵表示的纳米CMOS电路常开缺陷的快速映射方法有效
| 申请号： | 201911154749.0 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111062182B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 夏银水;顾贤贵;徐鹏飞;查晓婧;谢尚銮 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 谢潇 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的矩阵表示的纳米CMOS电路常开缺陷的快速映射方法，首先对三种纳米CMOS电路常开缺陷进行定义，再根据纳米CMOS电路连通域约束和电路缺陷情况，将给定的纳米CMOS电路构造为纳米CMOS矩阵表示；然后根据待映射的逻辑电路中节点间的扇入扇出关系，将逻辑电路构造为逻辑矩阵表示；之后建立两种矩阵的匹配规则并采用进化算法完成矩阵间可匹配元素的搜索；最后通过对两种矩阵进行元素匹配完成单元映射。本发明能够简化电路映射复杂度，提高电路求解效率和求解规模，减小映射面积，在提高单元利用率和映射成功率情况下，快速消除常开缺陷对纳米CMOS电路逻辑功能的影响，从而快速、有效地完成纳米CMOS电路常开缺陷的容错映射。 | ||
| 搜索关键词： | 矩阵 表示 纳米 cmos 电路 常开 缺陷 快速 映射 方法 | ||
【主权项】：
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