[发明专利]错层式金属位线走线的磁性随机存储器存储阵列在审
| 申请号： | 201911156106.X | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN112837723A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;吕玉鑫 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C5/06;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种错层式金属位线(BL)走线的磁性随机存储器(MRAM)存储阵列，磁性随机存储器阵列内的每列磁性隧道结(MTJ)的一端连接同一根位线，其特征在于，任意相邻两根位线(BL)的金属层走线分别错层，任意相邻两根位线(BL)的金属层走线由不同金属层所形成。利用相邻位线(BL)间的错层金属层化设计来减小相邻位线(BL)间的寄生耦合电容，从而降低了正在读、写操作的位线对相邻位线产生影响，保证了内部存储单元保存数据的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 错层式 金属 位线走线 磁性 随机 存储器 存储 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911156106.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：斜楔切换机构及模具
- 下一篇：一种基于工作状态自模拟原理的受电弓检修工作台
