[发明专利]一种锗基探测器的集成方法有效
| 申请号： | 201911157635.1 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110854017B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 熊文娟;亨利·H·阿达姆松;王桂磊;赵雪薇;孔真真;林鸿霄 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/683;H01L27/146;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种锗基探测器的集成方法，包括以下步骤：提供第一衬底，在第一衬底上形成氮化硅波导结构；提供第二衬底，在第二衬底上外延锗以形成锗薄膜层，在锗薄膜层上继续外延锗以形成锗基外延层，并化学机械抛光；在锗基外延层上沉积高k金属氧化物以形成高k金属氧化物层；将第二衬底的高k金属氧化物层与第一衬底键合；减薄第二衬底至第一厚度，腐蚀掉第一厚度的第二衬底；化学机械抛光以去除锗薄膜层；在锗基外延层上制备形成锗基探测器。本发明因为去除了低质量的锗薄膜层，因此提高了后续形成的光电器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测器 集成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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