[发明专利]带晶种升降单元的铸造硅单晶炉及硅单晶生长方法在审
| 申请号： | 201911161271.4 | 申请日： | 2019-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN110777425A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 田达晰 | 申请（专利权）人： | 田达晰 |
| 主分类号： | C30B11/02 | 分类号： | C30B11/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 33200 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林松海 |
| 地址： | 310013 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带晶种升降单元的铸造硅单晶炉及硅单晶生长方法。所述的铸造硅单晶炉，包括炉体、晶种升降单元、温控单元、晶体生长单元；所述的晶体生长单元位于炉体内；所述的晶种升降单元位于炉体上方，并穿进炉体至晶体生长单元，用于将晶种插入到晶体生长单元；所述的温控单元用于提供晶体生长单元中的晶体生长所需的温度。晶种升降单元包括波纹管、晶种升降杆、升降机构，升降机构用于升降晶种升降杆。采用本发明生长出的硅晶体质量好，位错增殖少，晶界少，晶种消耗少，与晶种同方向的硅单晶体积占比大于90%，可以将碱制绒工艺应用于使用铸锭法制造的硅片制造太阳能电池的工艺过程，得到光衰减低、太阳能转化效高的硅太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 晶种 晶体生长 升降单元 硅单晶炉 升降机构 温控单元 升降杆 铸造 硅太阳能电池 硅单晶生长 太阳能电池 太阳能转化 工艺过程 工艺应用 硅片制造 位于炉体 波纹管 硅单晶 硅晶体 碱制绒 光衰 进炉 晶界 炉体 位错 铸锭 增殖 升降 体内 消耗 生长 制造 | ||
【主权项】：
1.一种带晶种升降单元的铸造硅单晶炉，其特征是：包括炉体（24）、晶种升降单元、温控单元、晶体生长单元；/n所述的晶体生长单元位于炉体（24）内；/n所述的晶种升降单元位于炉体（24）上方，并穿进炉体（24）至晶体生长单元，用于将晶种（12）插入到晶体生长单元；/n所述的温控单元用于提供晶体生长单元中的晶体生长所需的温度。/n
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