[发明专利]一种克级别高量子产率荧光硅纳米粒子的制备方法在审
| 申请号： | 201911161490.2 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110964519A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 翁少煌;陈育源;王珍珍;郝晓丽;林新华 | 申请（专利权）人： | 福建医科大学 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59;B82Y20/00;B82Y40/00;C01B33/021 |
| 代理公司： | 福州智理专利代理有限公司 35208 | 代理人： | 王义星 |
| 地址： | 350122 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种克级别高量子产率荧光硅纳米粒子的制备方法，包括以下步骤：将还原剂溶于超纯水中并用氮气保护，然后加入硅源化合物并搅拌混合均匀以制备前体溶液，最后将前体溶液转移至聚四氟乙烯反应釜中进行水热反应，纯化后得到产量大于1.3g荧光量子产率高达80%的硅纳米粒子。本发明所述的制备方法操作简单、原料易得、成本低、产率高、杂质少，并且制备所得的荧光硅纳米粒子可以长时间均匀且稳定地分散在水中，光学性能优异，表面富含氨基和羧基，因此有利于荧光硅纳米粒子的推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 级别 量子 荧光 纳米 粒子 制备 方法 | ||
【主权项】：
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