[发明专利]一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201911162232.6 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110838539A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法，所述外延结构包括硅衬底，依次设于硅衬底上的Al层、含氮缓冲层、剥离层、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层；所述含氮缓冲层包括AlN层、Al |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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