[发明专利]一种组合可调式高压硅堆制具及操作方法有效
申请号: | 201911165512.2 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN110739234B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 唐毅 | 申请(专利权)人: | 鞍山术立电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 枣庄小度智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 37282 | 代理人: | 周莉 |
地址: | 114015 辽宁省鞍山市*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种组合可调式高压硅堆制具,包括上模具块和下模具块,所述上模具块和下模具块的两侧外壁均对称铸焊有把手,所述上模具块设置有第一固定槽,所述第一固定槽内契合安装有上型腔块,所述上型腔块的裸露表面左右对称分隔有两个第一型腔槽,每个所述第一型腔槽内均并排分隔多个槽体,所述下模具块设置有第二固定槽,所述第二固定槽内契合安装有下型腔块,所述下型腔块的裸露表面左右对称分隔有两个第二型腔槽,每个所述第二型腔槽内均并排分隔多个槽体,所述上型腔块和下型腔块的两侧分别对称设有定位凹槽和定位凸块。本发明利用增加不同尺寸的型腔模块,解决了传统热压塑型制具结构单一的缺点,同时简化了生产流程,提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 组合 调式 高压 硅堆制具 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种组合可调式高压硅堆制具,包括上模具块(1)和下模具块(2),其特征在于,所述上模具块(1)设置有第一固定槽(11),所述第一固定槽(11)内契合安装有上型腔块(3),所述上型腔块(3)的裸露表面左右对称分隔有两个第一型腔槽(31),每个所述第一型腔槽(31)内均并排分隔多个槽体,所述下模具块(2)设置有第二固定槽(21),所述第二固定槽(21)内契合安装有下型腔块(4),所述下型腔块(4)的裸露表面左右对称分隔有两个第二型腔槽(41),每个所述第二型腔槽(41)内均并排分隔多个槽体,所述下型腔块(4)的一侧设有调节定位结构板(6),所述调节定位结构板(6)底部与所述所述第二模具(2)表面焊接固定,所述调节定位结构板(6)上逐一设有多个螺纹孔(62),多个螺纹孔(62)靠近所述两个所述第二型腔槽(41)一端外周边均设有垫片限位槽(62a),多个所述螺纹孔(62)内均穿插设有定位旋钮件(61),多个所述定位旋钮件(61)均包括有圆柱旋转头(61a),多个所述圆柱旋转头(61a)靠近所述调节定位结构板(6)一端均铸焊连接有活动螺杆(61b),多个所述活动螺杆(61b)上均设有限位挡片(61c),多个所述限位挡片(61c)与多个所述垫片限位槽(62a)逐一吻合,所述调节定位结构板(6)靠近两个所述第二型腔槽(41)一侧逐一设有多个型腔模块(7),多个所述型腔模块(7)逐一对应设置于两个所述第二型腔槽(41)内,且多个所述型腔模块(7)与多个所述活动螺杆(61b)呈螺纹连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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