[发明专利]用于晶圆键合的电学测试结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911165890.0 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112838073A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张智侃;李杰;杨瑞坤 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于晶圆键合的电学测试结构及其形成方法，所述晶圆包括正面相对彼此键合的第一晶圆和第二晶圆；所述电学测试结构包括位于第一晶圆正面的第一测试焊盘，以及位于第一晶圆背面的表面焊盘，所述第一测试焊盘与表面焊盘电学连通。本发明通过在第一晶圆正面设置第一测试焊盘，在第一晶圆背面设置表面焊盘，第一测试焊盘与表面焊盘电学连通，既能保证晶圆正面表面平整，便于键合时晶圆之间的紧密贴合，又能方便地通过位于晶圆背面的表面焊盘进行电学测试，监控晶圆状态下的电学水平，提高产品良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶圆键合 电学 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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