[发明专利]一种通过等离激元辅助红外光调控亚稳态缺陷引起的持久光电流的方法在审
| 申请号： | 201911166341.5 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110993484A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘铎;赵超鹏;颜为山;罗雯耀;张汪阳;韩素芹;李岩岩;高倩 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/42;G02B5/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种通过等离激元辅助红外光调控亚稳态缺陷引起的持久光电流的方法。该方法是在半导体材料表面制备金属等离激元纳米颗粒；激发半导体材料的持久光电流；然后采用红外光照射半导体材料表面，调控亚稳态缺陷引起的持久光电流，实现持久光电流的快速回复。本发明主要是在半导体材料表面制备金属等离激元纳米颗粒，并结合红外光照射，调控持久光电流，操作简单，设备要求低，可实现半导体材料的大面积操作，半导体材料的表面修饰不会降低半导体材料的光响应度，可适用于多种具有亚稳态缺陷的半导体材料。本发明的调控效果明显，在等离激元的辅助下，红外光照射能够将持久光电流的恢复速度加快50倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 离激元 辅助 红外光 调控 亚稳态 缺陷 引起 持久 电流 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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