[发明专利]一种硅重掺杂氮化镓异质外延的材料结构及应力控制方法有效
| 申请号： | 201911166845.7 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110957354B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 李传皓;李忠辉;潘传奇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L29/207;H01L21/02;H01L29/872;C30B25/18;C30B29/38 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 严海晨 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅重掺杂氮化镓异质外延的GaN SBD材料及应力控制方法，按外延生长顺序包括：衬底；氮化铝（AlN）成核层；非故意掺杂铟镓氮（InGaN）层；非故意掺杂氮化镓（GaN）层；n+‑GaN重掺层；n‑‑GaN轻掺层。基于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等气相外延生长方法，通过引入非故意掺杂InGaN层及对AlN成核层的应力调制，在保证外延材料低应力和高质量的同时，显著提升了n+‑GaN重掺层的掺杂浓度，从而有效降低GaN肖特基二极管(SBD)等高频器件的寄生串联电阻，提高器件的截止频率和工作效率。本方法与常规GaN异质外延工艺兼容，可控性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氮化 镓异质 外延 材料 结构 应力 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911166845.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防行李箱滑脱伤人的电动扶梯阶梯
- 下一篇：一种变压器铁芯夹件焊接工装
- 同类专利
- 专利分类
