[发明专利]底发射结构的垂直腔面发射激光器、数组及其制作方法

摘要

本发明公开了一种底发射结构的垂直腔面发射激光器具有一基板，第一镜单元形成于基板上，有源区形成于第一镜单元上，第二镜单元形成于有源区上。柱体通过定向电感耦合等离子体反应离子蚀刻形成，且柱体曝露第一镜单元、有源区及第二镜单元的一部分，第一金属接触层形成于柱体的顶部，第二金属接触层形成于基板，开孔形成于第二金属接触层内，并与柱体对齐。本发明使垂直腔面发射激光器数组得以更密集的方式封装，从而增加在晶圆上形成的芯片数量并相应地降低芯片成本。