[发明专利]一种圆形片上高压隔离电容

摘要

本发明提供一种圆形片上高压隔离电容，涉及集成电路领域，所述隔离电容包括由顶层金属TM构成的电容上极板，由第一层金属M1构成的电容下极板，位于电容上极板与电容下极板之间的SiO2介质，位于电容下极板下方的芯片衬底，所述隔离电容还包括位于电容下极板正下方、芯片衬底上的高阻介质层，所述高阻介质层为悬空电位；所述电容上极板与电容下极板为同心圆。本发明能够解决高压冲击时可能产生的尖端放电问题，提高隔离电容耐压能力；解决半导体制造工艺中顶层金属和下层金属对齐偏差所导致的隔离电容值变小的问题，提高有效电容值；将隔离电容上极板到芯片衬底的寄生电容转化为电容上极板到电容下极板的有效电容，减小有效信号损失。