[发明专利]一种碳纳米管薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201911170275.9 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111063803A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 司荣美;王丽宁 | 申请（专利权）人： | 天津宝兴威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 301800 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，其制备步骤为：(1)清洗硅片；(2)蒸镀500nm铝薄膜；(3)制备掺磷的二氧化硅薄膜；(4)光刻图形化；(5)蒸发金属电极；(6)丙酮剥离；(7)转移CNT网络；(8)二次光刻定义CNT网络图形；(9)RIE反应离子刻蚀；(10)再次丙酮剥离。本发明将碳纳米管分散液法沉积半导体CNT，纯度非常高，解决了碳纳米管网络沟道层的制备，电双层二氧化硅薄膜作为双电层电容具有非常大的电容，实现了低电压高单位电容的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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