[发明专利]基于MoS2

摘要

本发明公开了一种基于MoS2/Ga2O3异质结的光电探测器、制备方法及应用，属于光电器件技术领域，包括从下到上依次层叠设置的衬底、Ga2O3层和MoS2层，MoS2层的两端对称设置有金属电极层，且金属电极层的底端均位于所述Ga2O3层上；Ga2O3层与MoS2层组成异质结；本发明采用二维材料MoS2/Ga2O3的异质结结构，降低二维材料光电探测器的暗电流，提升其在弱光下的光探测，实现光电探测器对紫外‑可见‑近红外波段全谱光探测。