[发明专利]纳米多孔铜表面修饰MnO/石墨烯复合电极的制备方法有效
| 申请号： | 201911170745.1 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111009644B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 康建立;闫琳;宗皊硕;王宜霄;张少飞;张志佳;于镇洋;乔志军 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/50;H01M4/62;H01M4/131;H01M4/1391;H01M4/04;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 天津万华知识产权代理事务所(普通合伙) 12235 | 代理人： | 梁改改 |
| 地址： | 300000 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种纳米多孔铜表面修饰MnO/石墨烯复合电极的制备方法，包括以下步骤：(1)合金制备：制备CuMn合金，所述CuMn合金中，Cu的原子含量为30‑50％，其余为Mn原子含量；(2)将步骤(1)制备得到的CuMn合金薄片采用化学脱合金的方法制备出两边孔径为50‑70nm、中间孔径为20‑30nm的韧性梯度纳米多孔铜；(3)将步骤(2)制备得到的纳米多孔铜进行热处理；(4)将步骤(3)制备得到的纳米多孔铜进行化学气相沉积法处理。本发明使用的方法比现有技术中存在的制备方法简单，成本更低，并且由于是直接在纳米多孔铜基体上形成氧化物和石墨烯，所以氧化物、石墨烯与基体的结合更紧密。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 多孔 表面 修饰 mno 石墨 复合 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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