[发明专利]具有肖特基金属结的半导体装置及其制作方法在审
| 申请号： | 201911171044.X | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110931569A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;胡丹;李武华 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 刘贻盛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有肖特基金属结的半导体装置及其制作方法，所述半导体装置包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形成有第二金属层，且该外延层上表面还形成有所述第一金属层，所述第二金属层和外延层形成的肖特基势垒与第一金属层和外延层形成的肖特基势垒大小不同。本发明采用两种不同的势垒金属作为肖特基接触，器件反向阻挡时，利用高势垒的肖特基金属对低势垒肖特基金属的电场屏蔽作用降低肖特基势垒电流，器件正向导通时，器件因低势垒肖特基金属具有较低的导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基金 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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