[发明专利]基于侧向光栅的窄线宽垂直腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 201911171472.2 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110970796B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 赵秦丰;于文琦;李健;刘建国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/125;H01S5/183 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种垂直腔面发射半导体激光器，该垂直腔面发射半导体激光器包括：高掺杂衬底；谐振腔，位于所述高掺杂衬底的正面，用于选模及扩展腔长；侧向光栅，环绕在所述谐振腔的周围，用于对所述谐振腔的有源区内泄漏到侧向光栅的光进行衍射反馈，从而压窄线宽；接触层，位于所述侧向光栅之上；金属电极，包括底部金属电极和顶部金属电极；其中，底部金属电极位于所述高掺杂衬底的背部，顶部金属电极位于所述接触层之上。其结构简单，体积小，制备成本低，功耗低，具有更窄的激光线宽。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 侧向 光栅 窄线宽 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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