[发明专利]二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型在审
| 申请号： | 201911171690.6 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111950213A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王君兰;王光义;董玉姣;谷文玉;李茹依 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308;G06F30/36 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型。本发明中的集成运算放大器U1和乘法器U8分别连接输入端，即局部有源忆阻器的电压和电流的测试端；集成运算放大器U1用于实现反相加法运算和积分运算，将输出信号再返回到集成运算放大器U5，集成运算放大器U2用于实现反相放大运算，将输出信号返回到集成运算放大器U1，最终求得控制忆导值的状态变量。集成运算放大器U3用于实现反相加法运算、反向放大运算，集成运算放大器U4用于实现对数运算、反向放大运算，得到需要的忆导控制函数，乘法器U8实现将忆导控制函数和输入的电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量。本发明用以模拟局部有源忆阻器的伏安特性。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 有源 忆阻器 仿真器 电路 模型 | ||
【主权项】：
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