[发明专利]组分可调的三元InGaAs和InGaN材料纳米线外延生长方法在审

专利信息
申请号: 201911171973.0 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN110931349A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 弗拉基米尔·杜布罗夫斯基;维克多·乌斯季诺夫;黄辉 申请(专利权)人: 塞斯奥特(南京)电子科技有限公司;南京奥斯登电子信息产业研究院有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L33/30;H01L33/32
代理公司: 北京市京大律师事务所 11321 代理人: 刘玮
地址: 211111 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种组分可调的三元InGaAs和InGaN材料纳米线外延生长方法,该方法通过抑制外延生长过程中三元III‑V和III‑N纳米结构中体积混溶隙实现。通过本发明的方法可以获得任意组分x的InxGa1‑xAs或InxGa1‑xN纳米结构。这种方法实现了在三元InxGa1‑xAs和InxGa1‑xN材料纳米线组分x从0.1到0.8变化范围的特定实例,利用金属‑有机气相外延(MOVPE)、分子束外延(MBE)和氢化物气相外延(HVPE)技术在金属催化剂作用下,通过气‑液‑固或气‑固‑固方法生长。
搜索关键词: 组分 可调 三元 ingaas ingan 材料 纳米 外延 生长 方法
【主权项】:
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