[发明专利]组分可调的三元InGaAs和InGaN材料纳米线外延生长方法在审
| 申请号： | 201911171973.0 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110931349A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·杜布罗夫斯基;维克多·乌斯季诺夫;黄辉 | 申请（专利权）人： | 塞斯奥特（南京）电子科技有限公司;南京奥斯登电子信息产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/30;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市京大律师事务所 11321 | 代理人： | 刘玮 |
| 地址： | 211111 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种组分可调的三元InGaAs和InGaN材料纳米线外延生长方法，该方法通过抑制外延生长过程中三元III‑V和III‑N纳米结构中体积混溶隙实现。通过本发明的方法可以获得任意组分x的In |
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| 搜索关键词： | 组分 可调 三元 ingaas ingan 材料 纳米 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
