[发明专利]一种提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法在审
| 申请号： | 201911173046.2 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110854061A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 巨晓华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法，提供衬底，在衬底上形成p阱；刻蚀所述p阱，形成用作STI区的第一凹槽；在第一凹槽底部继续刻蚀p阱，形成宽度和深度均远小于第一凹槽宽度和深度的第二凹槽；在第二凹槽周围的所述p阱中进行离子注入，形成用于隔离有源区的离子注入区。本发明针对超浅隔离槽，在不增加光罩的基础上，成功引入双重浅隔离槽，不但没有增加超浅隔离槽深度，而成功的增加有源区与有源区之间的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 隔离 效应 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
