[发明专利]一种排除前层缺陷干扰的方法在审
| 申请号： | 201911173049.6 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110783221A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 叶林;许向辉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种排除前层缺陷干扰的方法，一次扫描获得缺陷信号的缺陷图，该缺陷图中包含前层干扰信号和当层缺陷信号；在一次扫描获得的缺陷图中设定前层干扰信号的坐标区间；二次扫描获得缺陷信号的缺陷图，并根据前层干扰信号的坐标区间滤除前层干扰信号；重复步骤一至步骤三直到将绝大部分或全部前层缺陷信号被滤除，能够将当层缺陷信号暴露出来为止，从而进行缺陷程式的优化，本发明提高了产品良率以及工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 前层 缺陷信号 干扰信号 缺陷图 一次扫描 当层 滤除 产品良率 二次扫描 工作效率 暴露 重复 优化 | ||
【主权项】：
1.一种排除前层缺陷干扰的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、一次扫描获得缺陷信号的缺陷图，该缺陷图中包含前层干扰信号和当层缺陷信号；/n步骤二、在所述一次扫描获得的缺陷图中设定前层干扰信号的坐标区间；/n步骤三、二次扫描获得所述缺陷信号的缺陷图，并根据所述前层干扰信号的坐标区间滤除所述前层干扰信号；/n步骤四、重复步骤一至步骤三直到将绝大部分或全部前层缺陷信号被滤除，能够将当层缺陷信号暴露出来为止。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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