[发明专利]MicroLED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201911173216.7 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957402A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 彭翔;赵汉民;封波 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MicroLED芯片及其制备方法，该MicroLED芯片中从下至上依次包括：GaN半导体结构、P型欧姆接触层、绝缘层、N‑Pad层及P‑Pad层，其中，GaN半导体结构呈规则结构设置，表面包括用于设置P型欧姆接触层的规则区域；P‑Pad层设置于P型欧姆接触层表面；N‑Pad层围绕P‑Pad层呈环状结构设置于GaN半导体结构表面，且与GaN半导体结构中的N‑GaN层接触，GaN半导体结构中从下至上依次为N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层；绝缘层设于GaN半导体结构表面除去N‑Pad层和P‑Pad层的区域。该MicroLED芯片在巨量转移的过程中，不再会出现由于芯片尺寸过小导致固晶时芯片的正负电极反向的技术问题，从而大大提高了巨量转移的良率。 | ||
| 搜索关键词： | microled 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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